Исследование тепловых характеристик 266 нм глубиной ультрафиолетовой лазер, генерируемой кристаллом BBO - 04

03Экспериментальные результаты и анализ

Когда входная мощность зеленого света ниже 4 Вт, температура сопоставления кристалла BBO мало влияет на выходную мощность четырехлетнего лазера 266 нм, и когда достигается оптимальная мощность ультрафиолетового выхода света, смещение температуры δТнагревательного устройства также имеет тенденцию быть последовательным; Когда входная мощность зеленого света превышает 8 Вт, чем выше температура сопоставления кристалла BBO(www.wisoptic.com), чем меньше смещение температуры δТнагревательного устройства и тем выше выходная мощность 266 нм лазер. Следовательно, необходимо установить подходящую теоретическую модель для изучения основной причины тепловой обработки кристалла BBO в течение четырех четырех человек, а также для проведения теоретических исследований тепловых характеристик кристаллов с различными температурами сопоставления.

Чтобы лучше понять выходные характеристики лазера Deep Ultraviolet 266 нм при различных температурах, качество луча полученного 266 нм ультрафиолетового лазера измеряли с использованием ультрафиолетового профилятора луча, когда температура соответствия кристаллов составляла 60 ° C. Было обнаружено, что факторы качества луча в направлениях X и Y были 1,66 (М²_х) и 1,68 (М²_у), соответственно, как показано на рисунке 3 (а). Кроме того, была зарегистрирована стабильность мощности глубиной ультрафиолетового лазера 266 нм, полученного в это время, как показано на рисунке 3 (b).ТСтабильность мощности лазера 266 нм в течение 1 часа была лучше, чем 4,7% (RMS). После того, как температура соответствия кристаллов была увеличена до 180 ° C, коэффициенты качества луча в направлениях X и Y могут быть увеличены до 1,62 и 1,52 соответственно, а стабильность мощности может быть лучше, чем 4,0% (RMS). Как видно из рисунка 3, повышение температуры сопоставления может также улучшить качество луча и долгосрочную стабильность генерируемого глубокого ультрафиолетового лазера в определенной степени.

Наконец, центральную длину волны ультрафиолетового импульсного лазера измеряли спектрометром, который составляет 265,7 нм, а ширина линии составляла 0,354 нм, как показано на рисунке 4 (а). Ширина единого импульса углубленного ультрафиолетового лазера из 266 нм измеряли фотоприемником 4 нс на частоте повторения 20 кГц, а последовательность импульса была равномерной и стабильной, как показано на рисунке 4 (b).

Рис. 3 Экспериментальные результаты. (а) качество луча и (б) стабильность мощности лазера DUV 266 нм, когда температура сопоставления фазы кристалла составляет 60 ℃; (c) Качество луча и (d) стабильность мощности лазера DUV 266 нм, когда температура сопоставления фазы кристалла составляет 180 ℃

Рис. 4 Выходные характеристики лазера DUV 266 нм. (а) спектральная ширина; (б) ширина пульса