Ячейка Поккельса KD*P без потерь для мощной модуляции добротности

  • Коэффициент контрастности напряжения до 15000:1

  • Ячейки Поккельса с наименьшими потерями с содержанием KD*P 99 % собственной разработки

  • Долгий и проверенный срок службы, гарантия 2 года

  • 20- летний опыт обслуживания самых требовательных лазерных приложений с KD*P и KDP, включая ячейку Поккельса с большой апертурой (диаметр> 20 мм) для мощных лазерных систем (например, ICF)

  • KDP, KD*P, KTP, RTP, BBO и LN выращиваются собственными силами WISOPTIC.

  • Нас покупают и доверяют десятки лазерных компаний по всему миру


Свяжитесь с нами
Подробная информация о продукте


ЭО-переключатель добротности (ячейка Поккельса) представляет собой электрооптическое устройство, в котором кристалл вызывает линейные изменения двойного лучепреломления кристалла (в отличие от эффекта Керра, который является квадратичным с  Е ). Ячейки Поккеля являются важными компонентами различных оптических устройств, таких как модуляторы добротности для лазеров, электрооптические модуляторы в свободном пространстве, переключатели в свободном пространстве.  

WISOPTIC использует кристалл DKDP (KD*P) с высоким содержанием дейтерия (D%>99%) для изготовления высококачественных переключателей добротности с высоким порогом повреждения, вызванного лазером. Эти устройства могут быстро и точно управлять направлением поляризации лазерного излучения в зависимости от приложенного напряжения.  Некоторые из наших Q-переключателей имеют клиновидные окна для обеспечения смещения 0° и минимизации обратных отражений.


Очистить диафрагму

8  мм

10  мм

12  мм

13  мм

Вносимые потери за один проход

< 2% при 1064 нм

Внутренний коэффициент контрастности

> 5000:1 при 1064 нм

Коэффициент контрастности напряжения

> 2000:1 при 1064 нм

Искажение волнового фронта

< l/6@ 633 нм

Емкость постоянного тока

< 4,5  пф

< 5,0  пф

< 5,5  пф

< 8,0  пф

Четвертьволновое напряжение постоянного тока

3200 +/- 200 В @ 1064 нм

Однопроходная передача

> 98,5%

Порог лазерного урона

750 МВт/см2 [АР  покрытие @ 1064 нм, 10 нс, 10 Гц]


Lossless KD*P Pockels Cell for High-Power Q-Switching.jpg


Lossless KD*P Pockels Cell for High-Power Q-Switching.jpg


Lossless KD*P Pockels Cell for High-Power Q-Switching.jpg


Lossless KD*P Pockels Cell for High-Power Q-Switching.jpg

Оставьте ваши сообщения

сопутствующие товары

Популярные продукты