KTP E-O Q-переключатель

Негигроскопичный

Отличная оптическая однородность

Широкий оптический диапазон 500–2800 нм

Низкие потери на поглощение при длине волны 1064 нм (<250 ppm/см при 1064 нм)

Высокий коэффициент ослабления (> 25 дБ при 633 нм)

Низкое полуволновое напряжение для электрооптических применений

Минимальный пьезоэлектрический вызывной сигнал, совместимый с частотой 1 МГц

Время нарастания менее 1 нс до точного переключения в лазере с высокой частотой повторения

Высокий порог индуцированного лазером повреждения (> 600 МВт/см2) . при 10 Гц, 10 нс при 1064 нм)

Конструкция с высоким удельным сопротивлением и термокомпенсацией для работы в широком диапазоне температур (от -50 до +70 ℃)


Свяжитесь с нами
Подробная информация о продукте

Кристалл KTP HGTR (High Gray Track Resistance), разработанный гидротермальным методом, преодолевает обычное явление электрохромизма KTP, выращенного под флюсом, поэтому имеет много преимуществ, таких как высокое электрическое сопротивление, низкие вносимые потери, низкое полуволновое напряжение, высокий порог лазерного повреждения. , и широкая полоса пропускания. HGTR-KTP имеет множество электрооптических приложений, таких как   Модуляция добротности для лазеров с высокой частотой повторения.

Кристаллы HGTR-KTP для приложений EO

  • Низкие вносимые потери, низкое четвертьволновое напряжение

  • Высокая частота повторения

  • Широкий оптический диапазон

  • Высокий порог поражения

  • Нет пьезоэлектрического звонка

  • Применение: Q-переключатели, пикинг импульсов и модулятор ЭО


Размеры одной пары КТП

(мм)

Х-образный вырез

Y-образный вырез

Удельное электрическое сопротивление

(Ом · см)

HWV @ 1064 нм

(В)

Коэффициент вымирания

@ 633 нм (дБ)

HWV @ 1064 нм

(В)

Коэффициент вымирания

@ 633 нм (дБ)

3 × 3 × 10

1200

> 25

1000

> 20

> 10 11

4 × 4 × 10

1600

> 25

1300

> 20

> 10 11

5 × 5 × 10

2000 г.

> 25

1600

> 20

> 10 11

6 × 6 × 10

2300

> 25

1900 г.

> 20

> 10 11

7 × 7 × 10

2700

> 25

2200

> 20

> 10 11

8 × 8 × 10

3100

> 25

2500

> 20

> 10 11

9 × 9 × 10

3500

> 25

2800

> 20

> 10 11

Порог урона:   > 600   МВт /см 2  для импульсов длительностью 10 нс при 1064 нм (просветляющее покрытие)


KTP E-O Q-Switch.jpg


KTP E-O Q-Switch.jpg

KTP E-O Q-Switch.jpg


Оставьте ваши сообщения

сопутствующие товары

Популярные продукты