< >

SLN Crystal для высокотемпературной пилы

Преимущества MgO:SLN
● Слабое магнитное поле — подходит для высокоточного и высокоскоростного процесса согласования фаз
● Теплопроводность на 20–50 % выше, чем у обычного MgO:LN.
● Высокий порог фоторефрактивного повреждения

Свяжитесь с нами

Подробная информация о продукте

Nominally pure stoichiometric $LiNbO$ $3$ $" роль = "презентация"> LiNbO 3$ shows lower photorefractive damage resistance than congruent crystal; however, stoichiometric crystals doped with MgO of more than 1.8 mol. % exhibit no measurable photorefractive damage at 532 nm to intensities of as much as $8$ $МВт$ $/$ $см$ $2$ $" роль="презентация"> 8 МВт / см 2$ . This remarkable damage resistance can be attributed not only to increased photoconductivity but also to decreased photogalvanic current. Stoichiometric $мг$ $:$ $LiNbO$ $3$ $« роль = «презентация»> Mg : LiNbO 3$ also demonstrates the shortest absorption edge, 302 nm, and a single-domain nature with low scattering losses.

Типичные области применения
● Устройство с периодической поляризацией
● ТГц устройство

Описание	Ценность
Впитывающая кромка (20 см ^-1 )	303 ( с = 49,9)
Индекс двойного лучепреломления (633 нм)	-0,0900 ( с =50,0)
Электрооптический коэффициент (пм/В)	R ₆₁ =9,89 ( с =49,95)
Нелинейный коэффициент (pm/V)	17,5 ( с =49,8)
OH- пик поглощения/FWHM (см- ¹ )	3465,5/2,9 ( с =49,9)
Напряжение инверсии домена (кВ/см²)	0,8 ( с = 49,9)
Порог урона	100 МВт/см ² при 532 нм
c в таблице – содержание Li ₂ O в кристалле