English
Deutsch
Español
Français
Кристалл RTP
• Высокая однородность
• Отличное внутреннее качество
• Высокое удельное электрическое сопротивление
• Высочайшее качество полировки поверхности
• Точное сопряжение пар
• Конкурентоспособная цена
• Серийное производство, быстрая доставка
RTP (RbTiOPO4) является изоморфом кристалла KTP. RTP имеет много преимуществ, например, большой нелинейный оптический коэффициент, большой коэффициент E-O , высокий порог повреждения (примерно в 1,8 раза больше KTP), высокое удельное сопротивление, высокая частота повторения, отсутствие гигроскопии и отсутствие индуцированного пьезоэлектрического эффекта с электрическими сигналами до 60 кГц. Дальность передачи RTP составляет от 350 нм до 4500 нм.
Кристалл RTP широко используется в лазерной Q-коммутационной системе с высокочастотным повторением, высокой мощностью и узкой шириной импульса. Устройства RTP E-O используются не только в лазерной микрообработке и лазерном ранжировании, но и в крупных научно-исследовательских проектах благодаря их отличным комплексным характеристикам.
WISOPTIC Стандартные характеристики - RTP
Допуск размеров |
± 0,1 мм |
Допуск угла |
< ± 0.25° |
Плоскостность |
< л/8 @ 632.8 нм |
Качество поверхности |
< 10/5 [С/Д] |
Параллелизм |
< 20" |
Перпендикулярность |
≤ 5' |
Скос |
≤ 0,2 мм при 45° |
Передаваемые искажения волнового фронта |
< л/8 @ 632.8 нм |
Прозрачная диафрагма |
> 90% центральной площади |
Покрытие |
AR покрытие: R<0,1% @ 1064 нм |
Порог повреждения лазером |
600 МВт/см2 для 1064 нм, 10 нс, 10 Гц (с AR-покрытием) |
Основные характеристики - RTP
• Широкий диапазон прозрачности (350 нм-4500 нм)
• Надежная однородность
• Негигроскопичность
• Высокий порог повреждения, индуцированного лазером
• Низкие потери на поглощение
• Стабильность в широком температурном диапазоне (-50°C~+70°C)
Основные области применения - RTP
• Генерация второй гармоники (SHG)
• Модуляторы E-O, оптические переключатели, направляющие соединители
• Оптические параметрические источники (OPG, OPA, OPO) для перестраиваемого выхода 0,4-4,5 мкм
Асические свойства - RTP
Кристаллическая структура |
Орторомбический |
Параметр решетки |
a = 12,96 Å, b = 10,56 Å, c = 6,49 Å |
Температура плавления |
около 1000 °C |
Твердость по шкале Мооса |
около 5 мохов |
Плотность |
3,6 г/см3 |
Коэффициенты теплового расширения |
αx = 1,01 × 10-5 /K, αy = 1,37 × 10-5 /K, αz = - 4,17 × 10-6 /K |
Уравнения Селлмайера (λ в мкм) |
nx2 = 2,15559 + 0,93307 [1 - (0,20994 / λ)2] - 0,01452 λ2 ny2 = 2,38494 + 0,73603 [1 - (0,23891 / λ)2] - 0,01583 λ2 nz2 = 2,27723 + 1,11030 [1 - (0,23454 / λ)2] - 0,01995 λ2 |
Термооптический коэффициент |
dλ/dT = - 0,029 нм /°C |
Электрооптические константы (Y-образный вырез) (X-cut) |
r33 = 38,5 вечера/В r33 = 35 пм/В, r23 = 12,5 пм/В, r13 = 10,6 пм/В |
Удельное электрическое сопротивление |
около 10 11-1012 Ом·см |
Статическое полуволновое напряжение при 1064 нм |
4 × 4 × 20 мм: 1 600 В 6 × 6 × 20 мм: 2 400 В 9 × 9 × 20 мм: 3 600 В |
Коэффициент вымирания |
> 20 дБ при 633 нм |
